차세대 CMOS 소자 구현을 위한 8인치급 P형 TMD 반도체 공정, 소재, 장비 개발

Development of 8-inch P-type TMD semiconductor process, materials, and equipment for next-generation CMOS devices

(1) 공정: 양산 적용 가능 수준의 조건(성장 온도≤380℃) 및 품질(온 전류밀도≥50㎂/㎛)을 갖는 P형 TMD 반도체 MOCVD 성장 공정 기술 개발 (2) 소재: P형 TMD 반도체 (WSe2) 성장용 신규 고순도 전구체 (Na,W,Se 등) 합성 기술 개발 및 제품화 (3) 장비: 8인치 웨이퍼 스케일 P형 TMD 증착용 MOCVD 장비 시제품 개발 및 사업화