전기차 및 Ecosystem 적용을 위한 1700V급 이상의 SiC 전력반도체용 UA(Usable Area) 96% 이상 고품질 SiC Epitaxy 국산화 기술개발

Localization development of highquality SiC epitaxy for more than 1700V level SiC power semiconductor to apply Electric Vehicle and Ecosystem

[주관연구개발기관 (아르케)] ㅇ Thick Epitaxy Layer 성막 기술개발 - Epitaxy Layer Thickness : 15㎛ (두께 균일도 ≤10%) - Doping Concentration : 3.00E+15 (도핑 균일도 ≤12%) - Usable Area : LLS Yield 92% 이상 ㅇ 선진사 SiC Epitaxy Wafer 제품 분석을 통한 경쟁력 분석(…