2020중소벤처기업부
차세대 성장동력 SiC 전자전기 소재
플라즈마 적층형 고속 원자층 Epitaxial 기술 활용 SiC Epi Wafer 시스템 개발 - 고온 원자층 Epitaxial 시스템 설계 및 제작 - 초고온 원자층 Epitaxy 공정 개발 - 두께 10um 이상 Epitaxial 박막 공정 개발 - N-type doping Epitaxial 박막 공정 개발 기존 스프레이 열분사 방식과 차별화된 적층형 고속 원자층 Epitaxi…
- 총 연구비
- 5.6억원 과제 3건 (수행기관 1곳)
- 연구 기간
- 2년수행완료2020-05-01 – 2022-04-30
- 적용분야
- 주관기관
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연구 내용
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기대 효과
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과제 분석
연도별 과제금액 · 건수
인력 비율
연도별 과제 금액과 건수를 확인해 보세요
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