HBM, V-NAND등 차세대 반도체 수율향상을 위한 웨이퍼 Back-side 결함 분석을 위한 국내최초 In-Fab Review SEM 핵심기술 개발

Development of Core Technologies for Korea's First In-Fab Review SEM for Wafer Back-side Defect Analysis to Enhance Yield in Next-Generation Semiconductors such as HBM and V-NAND

- HBM 및 V-NAND 등 차세대 반도체의 수율 향상을 위해, 웨이퍼 후면(Back-side) 결함을 첨단 반도체 제조 공정 현장(In-Fab)에서 즉각적으로 검출 및 분석할 수 있는 고분해능 Review SEM 핵심 기술을 개발함. 특히, 대한민국 최초로 In-Fab Review SEM 핵심 기술을 확보하여 웨이퍼 후면 결함 분석 전용 In-Fab ...