고성능 HBM 용 초고종횡비 수직 TSV 형성을 위한 구리 전해도금 소재 기술 개발

Development of Copper Electroplating Materials and Technology to form Ultra-high aspect ratio vertical TSV for High Performance HBM

□ Wafer Level 초고종횡비 TSV 공정용 전해도금 첨가제 소재 개발 ㅇ 종횡비 20 수준의 미세 TSV의 결함없는 충진 소재 개발 (12인치 Wafer) 종횡비 20 수준의 차세대 미세 TSV를 결함 없는 충진을 위한 첨가제 디자인 기술 개발 : 종횡비 20 수준 (Hole Size 4um 이하) 충진 Mechanism 기반 첨가제 소...