2026중소벤처기업부
반도체 패키징 마이크로 범프용 NiFe+Ni 배리어층 고순도 합금 도금 소재 및 범프 공정 기술 개발
Development of High-Purity Alloy Plating Material for NiFe+Ni Barrier Layers and Bump Process Technology for Semiconductor Packaging Micro bumps
기존 미세 범프 단면 구조 상 확산 방치증인 “Ni barrier를 NiFe+Ni barrier”로 변경하여 "IMC 억제+접합력 개선" 합금 도금소재와 공정을 개발하며, 이를 통해 2.5D/3D 패키징의 전기적 특성 및 신뢰성을 개선 및 확보 하는 것을 목표로 함.
- 총 연구비
- 2.5억원 과제 1건 (수행기관 1곳)
- 연구 기간
- 2년수행 중 (D-678)2026-09-01 – 2028-08-31
- 적용분야
- 주관기관
01
연구 내용
02
기대 효과
03
과제 분석
연도별 과제금액 · 건수
인력 비율
연도별 과제 금액과 건수를 확인해 보세요
04