실리콘 기판 화합물 반도체 성장 접착력 향상을 위한 이온주입 시스템 개발

Development of ion implanter to improve silicon substrate compound semiconductor growth adhesion

실리콘 기판 상에 III족 (In, Ga, Al 등)과 V족 (As, P) 이온을 생성, 가속, 표면 주입하여 실리콘 기판위에 화합물 반도체 성장시 박리 현상을 감소시켜 GaAs 화합물 반도체 제조공정 확보 - 3, 5족 이온 발생장치 제작 - Si 기판에 균일한 3, 5 족 이온빔 조사 가능한 이온주입 장치 제작 - 실리콘 기판상에 이온주입 깊이 제어...