유리기판 기반, 인터포저를 활용한 3D/2.5D 반도체 패키징용 종자층(Seed layer ) 증착 및 비아(Via) 충전 공정 연구

Seed Layer deposition and via filling on glass substrate for 3D/2.5D semiconduc0tor packaging (aspect ratio 15:1) using interposers based on glass.

반도체 패키징에 사용되는 5세대 유리기판에 요구되는 높은 종횡비의 TGV 기판에 대해 Via 내부에 연속적인 구리 Seed layer를 형성할 수 있는 공정 및 평가 기술 개발을 목표로 한다.본 연구에서는 최대 1:15의 종횡비를 갖는 5세대 구리 증착 유리 기판을 개발하고자 한다. 당사가 보유한 Atomic sputtering epitaxy(ASE) 기술...