조성-계면-응력 공학 기반 비휘발성 반강유전체 (Hf,Zr)O2 극박막 메모리의 초저전압-고신뢰성 구현

Implementation of Ultra-Low-Voltage and High-Reliability Nonvolatile Antiferroelectric (Hf,Zr)O2 Ultrathin-Film Memory through Composition, Interface, and Strain Engineering

본 연구의 최종 목표는 Zr-rich HZO 극박막에서 built-in bias가 안정화된 비휘발성 반강유전체 half-loop 메모리의 초저전압 및 고신뢰성 구현 원리를 확립하는 것이다. 구체적으로는, 첫째, 조성 가변화(Hf fraction 0-30 at.%)를 통해 half-loop에 최적화된 기본 재료 window를 확보하고, 둘째, 111-text...