2024산업통상자원부
EV용 고성능 2.0kV급 GaN EPI 및 소자 기술개발
Development of high-performance 2.0kV-class GaN EPI and device technology for EVs
[최종목표] ㅇ 신뢰성이 확보된 2.0KV급(항복전압 Min. 2.3kV ~ Max. 2.5KV) 고전압 GaN 전력소자를 개발하고 이를 통한 전력반도체 국산화 및 폭발적으로 성장하는 EV 및 EV 충전기 시장대응 [1차년도 목표] ㅇ EV 및 충전기용 수직형 고전압 GaN EPI 구조/소자/공정 설계 및 소자 Simulation [2차년도 목표] ㅇ EPI/Chip 공정조건 확보,…
- 총 연구비
- 24.3억원 과제 3건 (수행기관 4곳)
- 연구 기간
- 4년 3개월수행 중 (D-787)2024-10-01 – 2028-12-31
- 적용분야
- 주관기관
비투지
01
연구 내용
02
기대 효과
03
과제 분석
연도별 과제금액 · 건수
인력 비율
04
