2008중소벤처기업부
반도체 소자용 상변화 열계면 패드 개발
▣ 최종목표 : - 고발열 반도체 소자와 방열부품과의 계면에 적용되는 열전도율이 4.5W/mK 성능을 갖는 상변화 방열 패 드 개발 ▣ 개발기술의 평가방법 및 평가항목 - 열전도율 (QTM500, 4.5W/mK) - 열저항 (ASTM D5470, 0.10cm2/W) - 체적저항율 (ASTM D257, 1*1015 ohmㆍcm) - 박막화 (박막두께 측정, 0.1mm) - 난연 (UL 94, …
- 총 연구비
- 8300만원 과제 1건 (수행기관 1곳)
- 연구 기간
- 1년수행완료2008-08-01 – 2009-07-31
- 적용분야 —
- 주관기관
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연구 내용
02
기대 효과
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과제 분석
연도별 과제금액 · 건수
인력 비율
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