CMOS 공정 호환 적합성 고일함수 몰리브데넘 산화물 전극을 이용한 Ferroelectric Tunnel Junction 개발

Development of a Ferroelectric Tunnel Junction Using a CMOS-Compatible high-work function MoO2 Electrode

본 연구의 최종 목표는 기존 Pt 기반 HZH(HfO₂/ZrO₂/HfO₂) superlattice FTJ가 가지는 우수한 메모리 및 self-rectifying 특성을 유지하면서도, 실제 반도체 공정 적용에 불리한 Pt 전극을 CMOS 공정 호환성이 높은 고일함수 MoO₂ 전극으로 대체할 수 있는 단일 FTJ 소자를 구현하는 데 있다. 이를 위해 MoO₂ ...