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2015산업통상자원부

Si 전력소자와 가격경쟁이 가능한 GaN 전력소자 제작을 위한 시장친화적 저가형 GaN on Si 에피웨이퍼 개발

Development of the Market-Friendly, Low-Cost GaN on Si Epitaxy Wafers for the Near-future Replacement of Si Power Devices

Si 전력소자 가격대비 <300% 를 만족하는 전압 900V 급 4인치 GaN on Si 에피웨이퍼 시제품 개발 및 수요기업(Foundry 업체)을 통한 검증 ● 수요기업인 대만 Foundry 업체(WIN Semiconductor)의 생산 규격인 4인치 규격에 맞춰 4인치 GaN on Si 에피웨이퍼 시제품 개발 목표 ● 기존 3인치 장비 Modify 를 통한 4인치 Hybrid-MBE …


총 연구비
5.8억원
과제 1건 (수행기관 2곳)
연구 기간
1년수행완료
2015-12-01 – 2016-11-30
적용분야
주관기관

01

연구 내용


02

기대 효과


03

과제 분석

연도별 과제금액 · 건수
인력 비율

연도별 과제 금액과 건수를 확인해 보세요


04

세부과제내역 (1)

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