2015산업통상자원부
Si 전력소자와 가격경쟁이 가능한 GaN 전력소자 제작을 위한 시장친화적 저가형 GaN on Si 에피웨이퍼 개발
Development of the Market-Friendly, Low-Cost GaN on Si Epitaxy Wafers for the Near-future Replacement of Si Power Devices
Si 전력소자 가격대비 <300% 를 만족하는 전압 900V 급 4인치 GaN on Si 에피웨이퍼 시제품 개발 및 수요기업(Foundry 업체)을 통한 검증 ● 수요기업인 대만 Foundry 업체(WIN Semiconductor)의 생산 규격인 4인치 규격에 맞춰 4인치 GaN on Si 에피웨이퍼 시제품 개발 목표 ● 기존 3인치 장비 Modify 를 통한 4인치 Hybrid-MBE …
- 총 연구비
- 5.8억원 과제 1건 (수행기관 2곳)
- 연구 기간
- 1년수행완료2015-12-01 – 2016-11-30
- 적용분야
- 주관기관
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연구 내용
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기대 효과
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과제 분석
연도별 과제금액 · 건수
인력 비율
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