전하 포획 층-산화물 반도체 채널-강유전체 마카로니 필러 시너지 기반 높은 메모리 윈도우를 가지는 고신뢰성 FeNAND 개발

Development of a High-Memory-Window and High-Reliability FeNAND Using the Synergy of a Charge-Trap Layer, Oxide Semiconductor Channel, and Ferroelectric Macaroni Filler

정성적 목표 - 기존 V-NAND 구조의 SiO2 마카로니 필러를 HfZrO2(HZO) 강유전체와 하부 전극으로 대체, 강유전체의 잔류분극을 이용하여 Charge Trap Flash(CTF) Memory Window (MW)를 크게 향상시키는 것을 목표로 함. 산화물 반도체(OS) 채널을 도입하여 poly-Si 채널의 grain boundary 유래 트랩 ...