2026중소벤처기업부
차세대 반도체 식각공정 성능향상을 위한 CVD-SiC 샤워헤드 초미세홀 SSD 저감 및 후처리 통합공정 기술 개발
Development of Integrated Post-Processing Technology for Reducing Subsurface Damage (SSD) in CVD-SiC Shower Head Microholes for Enhanced Semiconductor Etching Performance
반도체 식각공정용 CVD-SiC 샤워헤드 초미세홀 내부의 SSD(Sub-Surface Damage) 및 미세크랙을 저감하고, 유동연마 기반 후처리 공정 기술을 확보하여 저파티클·고신뢰성 샤워헤드 제조 플랫폼을 구축한다.
- 총 연구비
- 4.4억원 과제 1건 (수행기관 1곳)
- 연구 기간
- 3년수행 중 (D-968)2026-07-01 – 2029-06-30
- 적용분야
- 주관기관
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연구 내용
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기대 효과
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과제 분석
연도별 과제금액 · 건수
인력 비율
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